图片仅供参考,产品以实物为准
| 文档 |
Passivation Material 26/June/2007 |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2 Ohm @ 2.75A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 20nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 810pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 包装材料 | Tube |
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